日前，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所常凱研究組，提出利用表面極化電荷在傳統(tǒng)常見(jiàn)半導(dǎo)體材料GaAs/Ge中實(shí)現(xiàn)拓?fù)浣^緣體相，通過(guò)第一性原理計(jì)算和多帶k.p理論成功地證明了GaAs/Ge極化電荷誘導(dǎo)的拓?fù)浣^緣體相，這為拓?fù)浣^緣體的器件應(yīng)用又向前推進(jìn)了一步。

　　中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所常凱研究組繼前期首次打破窄能隙和重元素的限制，在常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料GaN/InN/GaN中發(fā)現(xiàn)拓?fù)浣^緣體相，首次理論上提出利用表面極化電荷在常見(jiàn)半導(dǎo)體材料GaAs/Ge系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)拓?fù)浣^緣體相。GaAs/Ge系統(tǒng)與GaN/InN/GaN系統(tǒng)相比不同的地方是，GaAs材料和Ge材料晶格常數(shù)匹配，更易于材料的生長(zhǎng)。另外，GaAs/Ge是傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料，制造工藝成熟，更利于拓?fù)浣^緣體器件的集成。該工作對(duì)在常見(jiàn)半導(dǎo)體中探索新的拓?fù)湎�，及其開(kāi)展介觀輸運(yùn)的研究具有重要的意義。